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Ehekrise, Klimakrise, Identitätskrise. Für Arno, Mitte 40, geht es so nicht weiter. Immer hat er ja gesagt, zu Silke, zum Haus, zu den Kindern, sogar zur Familienkutsche. Einmal muss er etwas anders machen als die anderen. Er beschließt, ein Jahr lang in kein Auto zu steigen - obwohl er in einem Landstrich lebt, in dem der eigene Wagen so lebensnotwendig ist wie der Colt im Wilden Westen. Das gibt Ärger. Mit Silke, mit der Familie, den Kollegen. Nur nicht mit Annette, Grünen-Politikerin und Arnos Jugendliebe ... "Bläsings Geschichten strotzen vor trockenem Humor. Witzige Dialoge, kuriose Szenen - nach 'Der Halbmarathon-Mann' kommt auch 'Vollkasko' ausgesprochen kurzweilig daher." HNA.

Die geheime Zutat lautet immer KÄSE! In diesem kulinarischen und närrischen Kochbuch findest du 77 geniale Handkäs-Rezepte. Egal, ob du viel oder auch gar keine Kocherfahrung hast, hier findest du für jeden Anlass das passende Rezept. Die einfachen und vor allem schmackhaften Gerichte lassen das Herz jedes Handkäse-Liebhabers höherschlagen. Dieser heilige Gral des Handkäs ́ enthüllt die Mysterien der kreativen Kombinationen, einzigartiger Geschmackserlebnisse und entführt dich zudem auf eine exklusive kulinarische Reise in die musikalische Welt des Handkäses. Ein absolutes Muss für echte Handkäsefans und solche die es noch werden wollen.

SiC-Kaskode-FET, 650V, 27A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten "Drop-in-Ersatz" für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

SiC-Kaskode-FET, 650V, 27A, Rdson 0,08R D²Pak-7L Beschreibung: Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten "Drop-in-Ersatz" für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern. Merkmale: . Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR . Maximale Betriebstemperatur von 175°C . Hervorragende Rückwärtserholung . Niedrige Gate-Ladung . Niedrige intrinsische Kapazität . ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 . D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-Signalformen Applikationen: . EV-Ladeschaltung . PV-Wechselrichter . Schaltnetzteile . PFC-Module zur Blindleistungskompensation . Motorische Antriebe . Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Kaskode 80m Ω TO-220-3L Beschreibung: Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern. Eigenschaften: - Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mΩ - Maximale Betriebstemperatur von 175°C - Hervorragende Rückwärtserholung - Niedrige Gate-Ladung - Niedrige intrinsische Kapazität - ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 Typische Anwendungen - Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte - PV-Wechselrichter - Schaltnetzteile - Module zur Blindleistungskompensation - Motorische Antriebe - Induktionserwärmung

Q-EN Boxer Schmaler Bund. Bequemes und atmungsaktives Material. Gewebe aus Mikrofaser. Die Nähte sind im Farbton gehalten. Zusammensetzung: 95% Bambus, 5% Elastan Pflege: Waschen bei max. 40º. - Kein Bleichmittel verwenden. - Keinen Trockner verwenden. - Bügeln bei niedriger Temperatur, max. 110º. - Nicht chemisch reinigen.

SiC-Kaskode-FET, 1200V, 27A, Rdson 0,15R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten "Drop-in-Ersatz" für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 150mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-220-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Kaskode 27mΩ TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern.Eigenschaften:- Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 27mΩ- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 150mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Kaskode 42mR TO-247-4LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-SignalformenTypische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Casecode 42mR TO-247-3LBeschreibung:Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern.Merkmale:- Typischer On-Widerstand Rds(on) von 42mR- Maximale Betriebstemperatur von 175°C- Hervorragende Rückwärtserholung- Niedrige Gate-Ladung- Niedrige intrinsische Kapazität- ESD-geschützt, HBM-Klasse 2- Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar)Typische Anwendungen- Elektro-Fahrzeug-Ladung- PV-Wechselrichter- Schaltnetzteile- Module zur Blindleistungskompensation- Motorische Antriebe- Induktionserwärmung

SiC-Kaskode-FET, 1200V, 28,8A, Rdson 0,08R D²Pak-7LBeschreibung:Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten "Drop-in-Ersatz" für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern.Merkmale:• Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 80mR• Maximale Betriebstemperatur von 175°C• Hervorragende Rückwärtserholung• Niedrige Gate-Ladung• Niedrige intrinsische Kapazität• ESD-geschützt, HBM-Klasse 2• D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-SignalformenApplikationen:• EV-Ladeschaltung• PV-Wechselrichter• Schaltnetzteile• PFC-Module zur Blindleistungskompensation• Motorische Antriebe• Induktionserwärmung

SiC-Kaskode-FET, 1200V, 27A, Rdson 0,15R D²Pak-7L Beschreibung: Dieses SiC-FET-Bauelement basiert auf einer einzigartigen 'Kaskoden'-Schaltungskonfiguration, bei der ein normalerweise eingeschalteter SiC-JFET zusammen mit einem Si-MOSFET gepackt wird, um ein normalerweise ausgeschaltetes SiC-FET-Bauelement herzustellen. Die Standard-Gate-Treiber-Charakteristik des Bausteins ermöglicht einen echten "Drop-in-Ersatz" für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bausteine. Der im D2PAK-7L-Gehäuse erhältliche Baustein zeichnet sich durch eine extrem niedrige Gate-Ladung und außergewöhnliche Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aus, wodurch er sich ideal zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen eignet, die eine Standard-Gate-Steuerung erfordern. Merkmale: . Typischer On-Widerstand RDS(on), Typ 150mR . Maximale Betriebstemperatur von 175°C . Hervorragende Rückwärtserholung . Niedrige Gate-Ladung . Niedrige intrinsische Kapazität . ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 . D²Pak-7L -Gehäuse für schnelleres Schalten und saubere Gate-Signalformen Applikationen: . EV-Ladeschaltung . PV-Wechselrichter . Schaltnetzteile . PFC-Module zur Blindleistungskompensation . Motorische Antriebe . Induktionserwärmung

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 150mR TO-247-4L Beschreibung: Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre schnellen F3-SiC-Hochleistungs-JFETs mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist sehr schnelle Schaltvorgänge unter Verwendung eines TO-247-Gehäuses mit 4 Anschlüssen und die besten Reverse-Recovery-Eigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Speicher erfordern. Merkmale: - Typischer On-Widerstand Rds(on) von 150mR - Maximale Betriebstemperatur von 175°C - Hervorragende Rückwärtserholung - Niedrige Gate-Ladung - Niedrige intrinsische Kapazität - ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 - TO-247-4L-Gehäuse für schnelleres Schalten, saubere Gate-Signalformen Typische Anwendungen - Elektro-Fahrzeug-Ladung - PV-Wechselrichter - Schaltnetzteile - Module zur Blindleistungskompensation - Motorische Antriebe - Induktionserwärmung

1200V SiC-MOSFET-Kaskode 80m Ω TO-247-3L Beschreibung: Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs zusammen mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-SiC-Gate-Drive-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten und für alle Anwendungen, die einen Standard-Gate-Treiber erfordern. Eigenschaften: - Typischer Ein-Widerstand Rds(on) von 80mR - Maximale Betriebstemperatur von 175°C - Hervorragende Rückwärtserholung - Niedrige Gate-Ladung - Niedrige intrinsische Kapazität - ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 Typische Anwendungen - Elektro-Fahrzeug-Ladegeräte - PV-Wechselrichter - Schaltnetzteile - Module zur Blindleistungskompensation - Motorische Antriebe - Induktionserwärmung

650V SiC-MOSFET-Casecode 27mR TO-247-3L Beschreibung: Die Kaskodenprodukte von United Silicon Carbide verpacken ihre Hochleistungs-G3-SiC-JFETs gemeinsam mit einem kaskodenoptimierten MOSFET, um das einzige Standard-Gate-Drive-SiC-Bauelement auf dem heutigen Markt herzustellen. Diese Serie weist eine extrem niedrige Gate-Ladung, aber auch die besten Rückwärts-Rückgewinnungseigenschaften aller Bauelemente mit ähnlichen Nennwerten auf. Diese Bauelemente eignen sich hervorragend zum Schalten induktiver Lasten, wenn sie mit empfohlenen Snubbern verwendet werden, sowie für alle Anwendungen, die einen Standard-Gateantrieb erfordern. Merkmale: - Typischer On-Widerstand Rds(on) von 27mR - Maximale Betriebstemperatur von 175°C - Hervorragende Rückwärtserholung - Niedrige Gate-Ladung - Niedrige intrinsische Kapazität - ESD-geschützt, HBM-Klasse 2 - Sehr geringe Schaltverluste (erforderliche RC-Snubber-Verluste unter typischen Betriebsbedingungen vernachlässigbar) Typische Anwendungen - Elektro-Fahrzeug-Ladung - PV-Wechselrichter - Schaltnetzteile - Module zur Blindleistungskompensation - Motorische Antriebe - Induktionserwärmung